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7分钟前 大连银管厂欢迎来电「东创贵金属」[东创贵金属cbe5e60]内容：精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
在铂族金属的应用中，光学玻璃行业是铂的重要的应用领域，铂是制造熔制光学玻璃的坩埚和搅拌器的必选材料，由于光学玻璃的特殊性，提出了对坩埚和搅拌器的更苛刻的适用要求，早在八十年代初期，国内就有人提出了用弥散强化铂来制作坩埚和搅拌器。
21世纪展现良好发展前景的纳米技术，贵金属由于它们的独特优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。
热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
